MOS 管是金屬 （metal） — 氧化物 （oxide） — 半導(dǎo)體 （semiconductor） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬 — 絕緣體 （insulator） — 半導(dǎo)體。MOS 管的 source 和 drain 是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在 P 型 backgate 中形成的 N 型區(qū)。 在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。雙極型
MOS 管是金屬 （metal） — 氧化物 （oxide） — 半導(dǎo)體 （semiconductor） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬 — 絕緣體 （insulator） — 半導(dǎo)體。MOS 管的 source 和 drain 是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在 P 型 backgate 中形成的 N 型區(qū)。 在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。雙極型
相信很多電子設(shè)計(jì)工作者都知道MOS管，那么你真的知道應(yīng)該如何使用MOS管嗎?MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^7~10^12Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。 所有 MOS 集成電路 (包括 
相信很多電子設(shè)計(jì)工作者都知道MOS管，那么你真的知道應(yīng)該如何使用MOS管嗎?MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^7~10^12Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。 所有 MOS 集成電路 (包括 
你了解分立元件MOS管驅(qū)動(dòng)電路嗎?它有什么要點(diǎn)?本電路是在48V直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)上使用非常普遍的分立元件MOS管驅(qū)動(dòng)電路，適用頻率可達(dá)30kHz左右，穩(wěn)定可靠，在成本局限的產(chǎn)品上可代替IR21XX驅(qū)動(dòng)IC。這個(gè)電路已經(jīng)經(jīng)歷了多年的商業(yè)化檢驗(yàn)，保證你按照電路里的參數(shù)制作就可正常工作。制作時(shí)要注意以下幾點(diǎn)： 1)如果你的電機(jī)工作電壓低于等于12V可能需要調(diào)整上橋臂晶體管的工作狀態(tài)。 2)自舉電容C5 C6
你了解分立元件MOS管驅(qū)動(dòng)電路嗎?它有什么要點(diǎn)?本電路是在48V直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)上使用非常普遍的分立元件MOS管驅(qū)動(dòng)電路，適用頻率可達(dá)30kHz左右，穩(wěn)定可靠，在成本局限的產(chǎn)品上可代替IR21XX驅(qū)動(dòng)IC。這個(gè)電路已經(jīng)經(jīng)歷了多年的商業(yè)化檢驗(yàn)，保證你按照電路里的參數(shù)制作就可正常工作。制作時(shí)要注意以下幾點(diǎn)： 1)如果你的電機(jī)工作電壓低于等于12V可能需要調(diào)整上橋臂晶體管的工作狀態(tài)。 2)自舉電容C5 C6
一、認(rèn)識(shí)米勒電容如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖冢越o柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。其中：輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，輸出電容Coss=Cgd+Cds，反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨(dú)立的，而是相互影響，其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(gè)電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓
一、認(rèn)識(shí)米勒電容如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。其中：輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，輸出電容Coss=Cgd+Cds，反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨(dú)立的，而是相互影響，其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(gè)電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓
PN結(jié)：從PN結(jié)說起PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，摻雜是半導(dǎo)體的靈魂，先明確幾點(diǎn)：1、P型和N型半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體摻雜三價(jià)元素，根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理，會(huì)有“空穴”容易導(dǎo)電，因此，這里空穴是“多子”即多數(shù)載流子，摻雜類型為P(positive)型;同理，摻雜五價(jià)元素，電子為“多子”，摻雜類型為N(negative)型。2、載流子：導(dǎo)電介質(zhì)，分為多子和少子，概念很重要，后邊會(huì)引用3、空穴”帶正電，電子
PN結(jié)：從PN結(jié)說起PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，摻雜是半導(dǎo)體的靈魂，先明確幾點(diǎn)：1、P型和N型半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體摻雜三價(jià)元素，根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理，會(huì)有“空穴”容易導(dǎo)電，因此，這里空穴是“多子”即多數(shù)載流子，摻雜類型為P(positive)型;同理，摻雜五價(jià)元素，電子為“多子”，摻雜類型為N(negative)型。2、載流子：導(dǎo)電介質(zhì)，分為多子和少子，概念很重要，后邊會(huì)引用3、空穴”帶正電，電子
對(duì)于電源工程師來說，很多時(shí)候都在看波形，比如看輸入波形、MOS開關(guān)波形、電流波形、輸出二極管波形、芯片波形、MOS管的GS波形……接下來，咱們聊一下GS波形。我們測(cè)試MOS管GS波形時(shí)，有時(shí)會(huì)看到圖1這種波形，在芯片輸出端是非常好的方波輸出，可一旦到了MOS管的G極就出問題了——有振蕩。這個(gè)振蕩小的時(shí)候還能勉強(qiáng)過關(guān)，但有時(shí)候振蕩特別大，看著都令人擔(dān)心會(huì)不會(huì)重啟。 圖1 那么，這個(gè)波形中的振蕩是怎么
對(duì)于電源工程師來說，很多時(shí)候都在看波形，比如看輸入波形、MOS開關(guān)波形、電流波形、輸出二極管波形、芯片波形、MOS管的GS波形……接下來，咱們聊一下GS波形。我們測(cè)試MOS管GS波形時(shí)，有時(shí)會(huì)看到圖1這種波形，在芯片輸出端是非常好的方波輸出，可一旦到了MOS管的G極就出問題了——有振蕩。這個(gè)振蕩小的時(shí)候還能勉強(qiáng)過關(guān)，但有時(shí)候振蕩特別大，看著都令人擔(dān)心會(huì)不會(huì)重啟。 圖1 那么，這個(gè)波形中的振蕩是怎么
反激電源MOS D-S之間電壓波形產(chǎn)生的原因？這是一個(gè)典型的問題，本質(zhì)原因就是功率級(jí)寄生電容、電感引起的諧振，然而幾天后我發(fā)現(xiàn)，當(dāng)時(shí)我并沒有充分理解問題，這位朋友所要了解的問題其實(shí)應(yīng)細(xì)化為：為什么會(huì)有兩次諧振，諧振產(chǎn)生的模型是怎樣的？如下為反激式電源實(shí)現(xiàn)方案，該方案采用初級(jí)側(cè)穩(wěn)壓（PSR）技術(shù)，Q1導(dǎo)通時(shí)，變壓器初級(jí)電感存儲(chǔ)能量，輸出續(xù)流二極管Dfly反向偏置，Cout輸出能量給負(fù)載；Q1關(guān)斷時(shí)，
反激電源MOS D-S之間電壓波形產(chǎn)生的原因？這是一個(gè)典型的問題，本質(zhì)原因就是功率級(jí)寄生電容、電感引起的諧振，然而幾天后我發(fā)現(xiàn)，當(dāng)時(shí)我并沒有充分理解問題，這位朋友所要了解的問題其實(shí)應(yīng)細(xì)化為：為什么會(huì)有兩次諧振，諧振產(chǎn)生的模型是怎樣的？如下為反激式電源實(shí)現(xiàn)方案，該方案采用初級(jí)側(cè)穩(wěn)壓（PSR）技術(shù)，Q1導(dǎo)通時(shí)，變壓器初級(jí)電感存儲(chǔ)能量，輸出續(xù)流二極管Dfly反向偏置，Cout輸出能量給負(fù)載；Q1關(guān)斷時(shí)，
mos管隔離驅(qū)動(dòng)電路，如果驅(qū)動(dòng)高壓MOS管，我們需要采用變壓器驅(qū)動(dòng)的方式和集成的高邊開關(guān)。這兩個(gè)解決方案都有自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，適合不同的應(yīng)用。集成高邊驅(qū)動(dòng)器方案很方便，優(yōu)點(diǎn)是電路板面積較小，缺點(diǎn)是有很大的導(dǎo)通和關(guān)斷延遲。變壓器耦合解決方案的優(yōu)點(diǎn)是延遲非常低，可以在很高的壓差下工作。常它需要更多，缺點(diǎn)是需要很多的元件并且對(duì)變壓器的運(yùn)行有比較深入的認(rèn)識(shí)。變壓器常見問題和與MOS管驅(qū)動(dòng)相關(guān)的問題：變壓器
mos管隔離驅(qū)動(dòng)電路，如果驅(qū)動(dòng)高壓MOS管，我們需要采用變壓器驅(qū)動(dòng)的方式和集成的高邊開關(guān)。這兩個(gè)解決方案都有自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，適合不同的應(yīng)用。集成高邊驅(qū)動(dòng)器方案很方便，優(yōu)點(diǎn)是電路板面積較小，缺點(diǎn)是有很大的導(dǎo)通和關(guān)斷延遲。變壓器耦合解決方案的優(yōu)點(diǎn)是延遲非常低，可以在很高的壓差下工作。常它需要更多，缺點(diǎn)是需要很多的元件并且對(duì)變壓器的運(yùn)行有比較深入的認(rèn)識(shí)。變壓器常見問題和與MOS管驅(qū)動(dòng)相關(guān)的問題：變壓器
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。一、電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是很簡單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的很大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?，?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。一、電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是很簡單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的很大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?，?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比
深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)英泰路8號(hào)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902
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