MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。MOS 主要損耗也對應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在 MOS 承受規(guī)格之內(nèi)，MOS 即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同 MOS 這個(gè)
MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。MOS 主要損耗也對應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在 MOS 承受規(guī)格之內(nèi)，MOS 即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同 MOS 這個(gè)
什么是場效應(yīng)管?場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET)。場效應(yīng)管有哪些基本參數(shù)? (1)場效應(yīng)管的基本參數(shù) ①夾斷電壓UP 也稱截止柵壓UGS(OFF)，是在耗盡型結(jié)型
什么是場效應(yīng)管?場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET)。場效應(yīng)管有哪些基本參數(shù)? (1)場效應(yīng)管的基本參數(shù) ①夾斷電壓UP 也稱截止柵壓UGS(OFF)，是在耗盡型結(jié)型
什么是MOS管?它有什么特點(diǎn)?在常見的控制器電路中，MOS管有幾個(gè)工作狀態(tài)，而MOS 主要損耗也對應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，本文就來探討一下MOS的這些狀態(tài)的原理。MOS的工作狀態(tài)分為：開通過程(由截止到導(dǎo)通的過渡過程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導(dǎo)通到截止的過渡過程)、截止?fàn)顟B(tài)。MOS對應(yīng)這些狀態(tài)的主要損耗：開關(guān)損耗(開通過程和關(guān)斷過程)，導(dǎo)通損耗，截止損耗(漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì))，還有雪崩能量損耗。只要
什么是MOS管?它有什么特點(diǎn)?在常見的控制器電路中，MOS管有幾個(gè)工作狀態(tài)，而MOS 主要損耗也對應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，本文就來探討一下MOS的這些狀態(tài)的原理。MOS的工作狀態(tài)分為：開通過程(由截止到導(dǎo)通的過渡過程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導(dǎo)通到截止的過渡過程)、截止?fàn)顟B(tài)。MOS對應(yīng)這些狀態(tài)的主要損耗：開關(guān)損耗(開通過程和關(guān)斷過程)，導(dǎo)通損耗，截止損耗(漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì))，還有雪崩能量損耗。只要
你知道解析功率場效應(yīng)管保護(hù)電路設(shè)計(jì)的方法嗎?它有什么作用?什么是保護(hù)電路 鑒于電源電路存在一些不穩(wěn)定因素，而設(shè)計(jì)用來防止此類不穩(wěn)定因素影響電路效果的回路稱作保護(hù)電路。比如有過流保護(hù)、過壓保護(hù)、過熱保護(hù)、空載保護(hù)、短路保護(hù)等。功率場效應(yīng)管保護(hù)電路設(shè)計(jì) 功率場效應(yīng)管自身擁有眾多優(yōu)點(diǎn)，但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時(shí)過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場合，所以在應(yīng)用功率MOSFET對必須為其設(shè)計(jì)合理的保
你知道解析功率場效應(yīng)管保護(hù)電路設(shè)計(jì)的方法嗎?它有什么作用?什么是保護(hù)電路 鑒于電源電路存在一些不穩(wěn)定因素，而設(shè)計(jì)用來防止此類不穩(wěn)定因素影響電路效果的回路稱作保護(hù)電路。比如有過流保護(hù)、過壓保護(hù)、過熱保護(hù)、空載保護(hù)、短路保護(hù)等。功率場效應(yīng)管保護(hù)電路設(shè)計(jì) 功率場效應(yīng)管自身擁有眾多優(yōu)點(diǎn)，但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時(shí)過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場合，所以在應(yīng)用功率MOSFET對必須為其設(shè)計(jì)合理的保
場效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來的。三極管通過電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場效應(yīng)管是通過輸入電壓控制輸出，不消耗功率。場效應(yīng)管和三極管的區(qū)別是電壓和電流控制，但這都是相對的。電壓控制的也需要電流，電流控制的也需要電壓，只是相對要小而已。就其性能而言，場效應(yīng)管要明顯優(yōu)于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設(shè)計(jì)合理，采用場效應(yīng)管會明顯提升整體性能。1、三極管是雙極型管子，即管子工作
場效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來的。三極管通過電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場效應(yīng)管是通過輸入電壓控制輸出，不消耗功率。場效應(yīng)管和三極管的區(qū)別是電壓和電流控制，但這都是相對的。電壓控制的也需要電流，電流控制的也需要電壓，只是相對要小而已。就其性能而言，場效應(yīng)管要明顯優(yōu)于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設(shè)計(jì)合理，采用場效應(yīng)管會明顯提升整體性能。1、三極管是雙極型管子，即管子工作
第一種：雪崩破壞 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。 在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。 典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直
第一種：雪崩破壞 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。 在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。 典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直
DY種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和
DY種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和
MOSFET的擊穿有哪幾種？ Source、Drain、Gate 場效應(yīng)管的三極：源級S 漏級D 柵級G （這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿） 先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。 1） Drain-》Source穿
MOSFET的擊穿有哪幾種？ Source、Drain、Gate 場效應(yīng)管的三極：源級S 漏級D 柵級G （這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿） 先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。 1） Drain-》Source穿
摘要：板子上的功率MOS管是否能持續(xù)安全工作，是設(shè)計(jì)者最擔(dān)心的問題。炸機(jī)、用著用著就壞了、莫名其妙MOS管就炸了，遇到這些真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢？這一切其實(shí)都和SOA有關(guān)。 我們知道開關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會導(dǎo)致器件損壞，甚至
摘要：板子上的功率MOS管是否能持續(xù)安全工作，是設(shè)計(jì)者最擔(dān)心的問題。炸機(jī)、用著用著就壞了、莫名其妙MOS管就炸了，遇到這些真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢？這一切其實(shí)都和SOA有關(guān)。 我們知道開關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會導(dǎo)致器件損壞，甚至
深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)英泰路8號英泰科匯廣場2棟1902
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