摘要：板子上的功率MOS管是否能持續(xù)安全工作，是設(shè)計(jì)者最擔(dān)心的問(wèn)題。炸機(jī)、用著用著就壞了、莫名其妙MOS管就炸了，遇到這些真是又怕又恨，可到底是哪里出問(wèn)題了呢？這一切其實(shí)都和SOA有關(guān)。 我們知道開(kāi)關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開(kāi)關(guān)器件長(zhǎng)期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過(guò)壓或過(guò)流就會(huì)導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致器件損壞，甚至
摘要：板子上的功率MOS管是否能持續(xù)安全工作，是設(shè)計(jì)者最擔(dān)心的問(wèn)題。炸機(jī)、用著用著就壞了、莫名其妙MOS管就炸了，遇到這些真是又怕又恨，可到底是哪里出問(wèn)題了呢？這一切其實(shí)都和SOA有關(guān)。 我們知道開(kāi)關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開(kāi)關(guān)器件長(zhǎng)期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過(guò)壓或過(guò)流就會(huì)導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致器件損壞，甚至
MOS管工作原理動(dòng)畫(huà) 絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵極為金屬鋁，故又稱(chēng)為MOS管。它的柵極-源極之間的電阻比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管大得多，可達(dá)1010Ω以上，還因?yàn)樗冉Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時(shí)溫度簡(jiǎn)單，而廣泛應(yīng)用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相同，MOS管工作原理動(dòng)畫(huà)示意圖也有N溝道和P溝道兩類(lèi)，但每一類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種
MOS管工作原理動(dòng)畫(huà) 絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵極為金屬鋁，故又稱(chēng)為MOS管。它的柵極-源極之間的電阻比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管大得多，可達(dá)1010Ω以上，還因?yàn)樗冉Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時(shí)溫度簡(jiǎn)單，而廣泛應(yīng)用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相同，MOS管工作原理動(dòng)畫(huà)示意圖也有N溝道和P溝道兩類(lèi)，但每一類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種
MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)
MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)
防反接保護(hù)電路 通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。 如下圖1所示：圖1 一只串聯(lián)二極管保護(hù)系統(tǒng)不受反向極性影響，二極管有0.7V的壓降。 這種接法簡(jiǎn)單可靠，但當(dāng)輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達(dá)到2A,如選用Onsemi的快速恢復(fù)二極管 MUR3020PT，額定管壓降為0.7V，那么功耗至少也要達(dá)到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，
防反接保護(hù)電路 通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。 如下圖1所示：圖1 一只串聯(lián)二極管保護(hù)系統(tǒng)不受反向極性影響，二極管有0.7V的壓降。 這種接法簡(jiǎn)單可靠，但當(dāng)輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達(dá)到2A,如選用Onsemi的快速恢復(fù)二極管 MUR3020PT，額定管壓降為0.7V，那么功耗至少也要達(dá)到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？下面我們就來(lái)了解一下，MOS 管和 IGBT 管到底有什么區(qū)別吧！什么是 MOS 管？場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS 管）。MOS 管即 MOSFET，中文
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？下面我們就來(lái)了解一下，MOS 管和 IGBT 管到底有什么區(qū)別吧！什么是 MOS 管？場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS 管）。MOS 管即 MOSFET，中文
MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G、S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)時(shí)間越短，開(kāi)關(guān)損耗越小，而在開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。 對(duì)于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開(kāi)啟電壓所用的
MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G、S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)時(shí)間越短，開(kāi)關(guān)損耗越小，而在開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。 對(duì)于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開(kāi)啟電壓所用的
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專(zhuān)門(mén)的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)，按理說(shuō)只要柵極電壓到到開(kāi)啟電壓就能導(dǎo)通DS
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專(zhuān)門(mén)的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)，按理說(shuō)只要柵極電壓到到開(kāi)啟電壓就能導(dǎo)通DS
槍溫度調(diào)試，把風(fēng)槍調(diào)到 320 度，風(fēng)速 1 檔，MOS 管屬于小型玻璃管 ， 容易夾裂，所以在拆的時(shí)候一定要小心 ， 撬的時(shí)候用力一定輕 ， 要顧及周?chē)脑骷荒芘龅?， 如果有帶膠的芯片需要避開(kāi) ， 吹的過(guò)程中風(fēng)槍不能停留太久。二、撬 MOS 管的時(shí)候要用鋒利一點(diǎn)的刀片 ， 把刀片放在 MOS 管下面 ， 用手指往上帶一點(diǎn)力度 ， 風(fēng)槍一直對(duì)著吹 ， 待錫剛?cè)诨瘯r(shí) MOS 管會(huì)自然脫落。三、
槍溫度調(diào)試，把風(fēng)槍調(diào)到 320 度，風(fēng)速 1 檔，MOS 管屬于小型玻璃管 ， 容易夾裂，所以在拆的時(shí)候一定要小心 ， 撬的時(shí)候用力一定輕 ， 要顧及周?chē)脑骷荒芘龅?， 如果有帶膠的芯片需要避開(kāi) ， 吹的過(guò)程中風(fēng)槍不能停留太久。二、撬 MOS 管的時(shí)候要用鋒利一點(diǎn)的刀片 ， 把刀片放在 MOS 管下面 ， 用手指往上帶一點(diǎn)力度 ， 風(fēng)槍一直對(duì)著吹 ， 待錫剛?cè)诨瘯r(shí) MOS 管會(huì)自然脫落。三、
MOS 管是金屬 （metal） — 氧化物 （oxide） — 半導(dǎo)體 （semiconductor） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬 — 絕緣體 （insulator） — 半導(dǎo)體。MOS 管的 source 和 drain 是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在 P 型 backgate 中形成的 N 型區(qū)。 在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。雙極型
MOS 管是金屬 （metal） — 氧化物 （oxide） — 半導(dǎo)體 （semiconductor） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬 — 絕緣體 （insulator） — 半導(dǎo)體。MOS 管的 source 和 drain 是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在 P 型 backgate 中形成的 N 型區(qū)。 在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。雙極型
相信很多電子設(shè)計(jì)工作者都知道MOS管，那么你真的知道應(yīng)該如何使用MOS管嗎?MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^7~10^12Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。 所有 MOS 集成電路 (包括 
相信很多電子設(shè)計(jì)工作者都知道MOS管，那么你真的知道應(yīng)該如何使用MOS管嗎?MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^7~10^12Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。 所有 MOS 集成電路 (包括 
深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)英泰路8號(hào)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902
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