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　　在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會經常出現(xiàn)，它們都可以作為開關元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？

　　下面我們就來了解一下，MOS 管和 IGBT 管到底有什么區(qū)別吧！

什么是 MOS 管？

　　場效應管主要有兩種類型，分別是結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS 管）。

　　MOS 管即 MOSFET，中文全稱是金屬 - 氧化物半導體場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。

　　MOSFET 又可分為 N 溝耗盡型和增強型；P 溝耗盡型和增強型四大類。

　　▲ MOSFET 種類與電路符號

　　有的 MOSFET 內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。

　　關于寄生二極管的作用，有兩種解釋：

　　1、MOSFET 的寄生二極管，作用是防止 VDD 過壓的情況下，燒壞 MOS 管，因為在過壓對 MOS 管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免 MOS 管被燒壞。

　　2、防止 MOS 管的源極和漏極反接時燒壞 MOS 管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿 MOS 管。

　　MOSFET 具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關等用途。

　　什么是 IGBT？

　　IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和 MOS 管組成的復合型半導體器件。

　　IGBT 作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣泛的應用。

　　IGBT 的電路符號至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時一般是借用三極管、MOS 管的符號，這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是 IGBT 還是 MOS 管。

　　同時還要注意 IGBT 有沒有體二極管，圖上沒有標出并不表示一定沒有，除非官方資料有特別說明，否則這個二極管都是存在的。

　IGBT 內部的體二極管并非寄生的，而是為了保護 IGBT 脆弱的反向耐壓而特別設置的，又稱為 FWD（續(xù)流二極管）。

　　判斷 IGBT 內部是否有體二極管也并不困難，可以用萬用表測量 IGBT 的 C 極和 E 極，如果 IGBT 是好的，C、E 兩極測得電阻值無窮大，則說明 IGBT 沒有體二極管。

　　IGBT 非常適合應用于如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

　　MOS管和 IGBT的結構特點

　　MOS 管和 IGBT 管的內部結構如下圖所示。

　　IGBT 是通過在 MOSFET 的漏極上追加層而構成的。

　　IGBT 的理想等效電路如下圖所示，IGBT 實際就是 MOSFET 和晶體管三極管的組合，MOSFET 存在導通電阻高的缺點，但 IGBT 克服了這一缺點，在高壓時 IGBT 仍具有較低的導通電阻。

另外，相似功率容量的 IGBT 和 MOSFET，IGBT 的速度可能會慢于 MOSFET，因為 IGBT 存在關斷拖尾時間，由于 IGBT 關斷拖尾時間長，死區(qū)時間也要加長，從而會影響開關頻率。

　　選擇 MOS管還是IGBT？

　　在電路中，選用 MOS 管作為功率開關管還是選擇 IGBT 管，這是工程師常遇到的問題，如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結出以下幾點：

　　也可從下圖看出兩者使用的條件，陰影部分區(qū)域表示 MOSFET 和 IGBT 都可以選用，“？”表示當前工藝還無法達到的水平。

　　總的來說，MOSFET 優(yōu)點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百 kHz、上 MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而 IGBT 在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導通電阻小，耐壓高。

　　MOSFET 應用于開關電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等等高頻電源領域；IGBT 集中應用于焊機、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應加熱等領域。