你了解分立元件MOS管驅(qū)動(dòng)電路嗎?它有什么要點(diǎn)?本電路是在48V直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)上使用非常普遍的分立元件MOS管驅(qū)動(dòng)電路，適用頻率可達(dá)30kHz左右，穩(wěn)定可靠，在成本局限的產(chǎn)品上可代替IR21XX驅(qū)動(dòng)IC。這個(gè)電路已經(jīng)經(jīng)歷了多年的商業(yè)化檢驗(yàn)，保證你按照電路里的參數(shù)制作就可正常工作。制作時(shí)要注意以下幾點(diǎn)： 1)如果你的電機(jī)工作電壓低于等于12V可能需要調(diào)整上橋臂晶體管的工作狀態(tài)。 2)自舉電容C5 C6
你了解分立元件MOS管驅(qū)動(dòng)電路嗎?它有什么要點(diǎn)?本電路是在48V直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)上使用非常普遍的分立元件MOS管驅(qū)動(dòng)電路，適用頻率可達(dá)30kHz左右，穩(wěn)定可靠，在成本局限的產(chǎn)品上可代替IR21XX驅(qū)動(dòng)IC。這個(gè)電路已經(jīng)經(jīng)歷了多年的商業(yè)化檢驗(yàn)，保證你按照電路里的參數(shù)制作就可正常工作。制作時(shí)要注意以下幾點(diǎn)： 1)如果你的電機(jī)工作電壓低于等于12V可能需要調(diào)整上橋臂晶體管的工作狀態(tài)。 2)自舉電容C5 C6
一、認(rèn)識(shí)米勒電容如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，所以給柵極電壓的過(guò)程就是給電容充電的過(guò)程。其中：輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，輸出電容Coss=Cgd+Cds，反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨(dú)立的，而是相互影響，其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(gè)電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓
一、認(rèn)識(shí)米勒電容如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，所以給柵極電壓的過(guò)程就是給電容充電的過(guò)程。其中：輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，輸出電容Coss=Cgd+Cds，反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨(dú)立的，而是相互影響，其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(gè)電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓
PN結(jié)：從PN結(jié)說(shuō)起PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，摻雜是半導(dǎo)體的靈魂，先明確幾點(diǎn)：1、P型和N型半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體摻雜三價(jià)元素，根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理，會(huì)有“空穴”容易導(dǎo)電，因此，這里空穴是“多子”即多數(shù)載流子，摻雜類型為P(positive)型;同理，摻雜五價(jià)元素，電子為“多子”，摻雜類型為N(negative)型。2、載流子：導(dǎo)電介質(zhì)，分為多子和少子，概念很重要，后邊會(huì)引用3、空穴”帶正電，電子
PN結(jié)：從PN結(jié)說(shuō)起PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，摻雜是半導(dǎo)體的靈魂，先明確幾點(diǎn)：1、P型和N型半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體摻雜三價(jià)元素，根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理，會(huì)有“空穴”容易導(dǎo)電，因此，這里空穴是“多子”即多數(shù)載流子，摻雜類型為P(positive)型;同理，摻雜五價(jià)元素，電子為“多子”，摻雜類型為N(negative)型。2、載流子：導(dǎo)電介質(zhì)，分為多子和少子，概念很重要，后邊會(huì)引用3、空穴”帶正電，電子
對(duì)于電源工程師來(lái)說(shuō)，很多時(shí)候都在看波形，比如看輸入波形、MOS開關(guān)波形、電流波形、輸出二極管波形、芯片波形、MOS管的GS波形……接下來(lái)，咱們聊一下GS波形。我們測(cè)試MOS管GS波形時(shí)，有時(shí)會(huì)看到圖1這種波形，在芯片輸出端是非常好的方波輸出，可一旦到了MOS管的G極就出問(wèn)題了——有振蕩。這個(gè)振蕩小的時(shí)候還能勉強(qiáng)過(guò)關(guān)，但有時(shí)候振蕩特別大，看著都令人擔(dān)心會(huì)不會(huì)重啟。 圖1 那么，這個(gè)波形中的振蕩是怎么
對(duì)于電源工程師來(lái)說(shuō)，很多時(shí)候都在看波形，比如看輸入波形、MOS開關(guān)波形、電流波形、輸出二極管波形、芯片波形、MOS管的GS波形……接下來(lái)，咱們聊一下GS波形。我們測(cè)試MOS管GS波形時(shí)，有時(shí)會(huì)看到圖1這種波形，在芯片輸出端是非常好的方波輸出，可一旦到了MOS管的G極就出問(wèn)題了——有振蕩。這個(gè)振蕩小的時(shí)候還能勉強(qiáng)過(guò)關(guān)，但有時(shí)候振蕩特別大，看著都令人擔(dān)心會(huì)不會(huì)重啟。 圖1 那么，這個(gè)波形中的振蕩是怎么
反激電源MOS D-S之間電壓波形產(chǎn)生的原因？這是一個(gè)典型的問(wèn)題，本質(zhì)原因就是功率級(jí)寄生電容、電感引起的諧振，然而幾天后我發(fā)現(xiàn)，當(dāng)時(shí)我并沒(méi)有充分理解問(wèn)題，這位朋友所要了解的問(wèn)題其實(shí)應(yīng)細(xì)化為：為什么會(huì)有兩次諧振，諧振產(chǎn)生的模型是怎樣的？如下為反激式電源實(shí)現(xiàn)方案，該方案采用初級(jí)側(cè)穩(wěn)壓（PSR）技術(shù)，Q1導(dǎo)通時(shí)，變壓器初級(jí)電感存儲(chǔ)能量，輸出續(xù)流二極管Dfly反向偏置，Cout輸出能量給負(fù)載；Q1關(guān)斷時(shí)，
反激電源MOS D-S之間電壓波形產(chǎn)生的原因？這是一個(gè)典型的問(wèn)題，本質(zhì)原因就是功率級(jí)寄生電容、電感引起的諧振，然而幾天后我發(fā)現(xiàn)，當(dāng)時(shí)我并沒(méi)有充分理解問(wèn)題，這位朋友所要了解的問(wèn)題其實(shí)應(yīng)細(xì)化為：為什么會(huì)有兩次諧振，諧振產(chǎn)生的模型是怎樣的？如下為反激式電源實(shí)現(xiàn)方案，該方案采用初級(jí)側(cè)穩(wěn)壓（PSR）技術(shù)，Q1導(dǎo)通時(shí)，變壓器初級(jí)電感存儲(chǔ)能量，輸出續(xù)流二極管Dfly反向偏置，Cout輸出能量給負(fù)載；Q1關(guān)斷時(shí)，
mos管隔離驅(qū)動(dòng)電路，如果驅(qū)動(dòng)高壓MOS管，我們需要采用變壓器驅(qū)動(dòng)的方式和集成的高邊開關(guān)。這兩個(gè)解決方案都有自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，適合不同的應(yīng)用。集成高邊驅(qū)動(dòng)器方案很方便，優(yōu)點(diǎn)是電路板面積較小，缺點(diǎn)是有很大的導(dǎo)通和關(guān)斷延遲。變壓器耦合解決方案的優(yōu)點(diǎn)是延遲非常低，可以在很高的壓差下工作。常它需要更多，缺點(diǎn)是需要很多的元件并且對(duì)變壓器的運(yùn)行有比較深入的認(rèn)識(shí)。變壓器常見(jiàn)問(wèn)題和與MOS管驅(qū)動(dòng)相關(guān)的問(wèn)題：變壓器
mos管隔離驅(qū)動(dòng)電路，如果驅(qū)動(dòng)高壓MOS管，我們需要采用變壓器驅(qū)動(dòng)的方式和集成的高邊開關(guān)。這兩個(gè)解決方案都有自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，適合不同的應(yīng)用。集成高邊驅(qū)動(dòng)器方案很方便，優(yōu)點(diǎn)是電路板面積較小，缺點(diǎn)是有很大的導(dǎo)通和關(guān)斷延遲。變壓器耦合解決方案的優(yōu)點(diǎn)是延遲非常低，可以在很高的壓差下工作。常它需要更多，缺點(diǎn)是需要很多的元件并且對(duì)變壓器的運(yùn)行有比較深入的認(rèn)識(shí)。變壓器常見(jiàn)問(wèn)題和與MOS管驅(qū)動(dòng)相關(guān)的問(wèn)題：變壓器
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。一、電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是很簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的很大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?，?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。一、電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是很簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的很大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?，?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比
關(guān)于三極管簡(jiǎn)單講解一下三極管，如果三極管工作在飽和區(qū)（完全導(dǎo)通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且這個(gè)0.3V，我們就認(rèn)為它直接接地了。那么就需要讓Ib大于等于1mA，若Ib=1mA, Ic=100mA，它的放大倍數(shù)β=100，三極管完全導(dǎo)通。如下圖，是一個(gè)NPN三極管。三極管基礎(chǔ)知識(shí)參考文章：四句口訣，玩轉(zhuǎn)三極管！三極管屬于電流型驅(qū)動(dòng)元器件，因此一般在基極都會(huì)串一個(gè)限流電阻，一般小于等于10K，
關(guān)于三極管簡(jiǎn)單講解一下三極管，如果三極管工作在飽和區(qū)（完全導(dǎo)通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且這個(gè)0.3V，我們就認(rèn)為它直接接地了。那么就需要讓Ib大于等于1mA，若Ib=1mA, Ic=100mA，它的放大倍數(shù)β=100，三極管完全導(dǎo)通。如下圖，是一個(gè)NPN三極管。三極管基礎(chǔ)知識(shí)參考文章：四句口訣，玩轉(zhuǎn)三極管！三極管屬于電流型驅(qū)動(dòng)元器件，因此一般在基極都會(huì)串一個(gè)限流電阻，一般小于等于10K，
一、H橋驅(qū)動(dòng)原理1)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路首先，單片機(jī)能夠輸出直流信號(hào)，但是它的驅(qū)動(dòng)才能也是有限的，所以單片機(jī)普通做驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)大的功率管如MOS管，來(lái)產(chǎn)生大電流從而驅(qū)動(dòng)電機(jī)，且占空比大小能夠經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)芯片控制加在電機(jī)上的均勻電壓到達(dá)轉(zhuǎn)速調(diào)理的目的。電機(jī)驅(qū)動(dòng)主要采用N溝道MOSFET構(gòu)建H橋驅(qū)動(dòng)電路，H 橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路，由于它的電路外形酷似字母 H，故得名曰“H 橋”。4個(gè)開關(guān)組成H的4條垂
一、H橋驅(qū)動(dòng)原理1)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路首先，單片機(jī)能夠輸出直流信號(hào)，但是它的驅(qū)動(dòng)才能也是有限的，所以單片機(jī)普通做驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)大的功率管如MOS管，來(lái)產(chǎn)生大電流從而驅(qū)動(dòng)電機(jī)，且占空比大小能夠經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)芯片控制加在電機(jī)上的均勻電壓到達(dá)轉(zhuǎn)速調(diào)理的目的。電機(jī)驅(qū)動(dòng)主要采用N溝道MOSFET構(gòu)建H橋驅(qū)動(dòng)電路，H 橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路，由于它的電路外形酷似字母 H，故得名曰“H 橋”。4個(gè)開關(guān)組成H的4條垂
一、MOS管應(yīng)用電路MOS驅(qū)動(dòng)，有幾個(gè)特別的需求:低壓應(yīng)用當(dāng)運(yùn)用5V電源，這時(shí)分假如運(yùn)用傳統(tǒng)的圖騰柱構(gòu)造，由于三極管的Vbe有0.7V左右的壓降，招致實(shí)踐最終加在Gate上的電壓只要4.3V。這時(shí)分，我們選用標(biāo)稱Gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險(xiǎn)；同樣的問(wèn)題也發(fā)作在運(yùn)用3V或者其他低壓電源的場(chǎng)所。寬電壓應(yīng)用輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會(huì)隨著時(shí)間或者其他要素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)招致PWM電路
一、MOS管應(yīng)用電路MOS驅(qū)動(dòng)，有幾個(gè)特別的需求:低壓應(yīng)用當(dāng)運(yùn)用5V電源，這時(shí)分假如運(yùn)用傳統(tǒng)的圖騰柱構(gòu)造，由于三極管的Vbe有0.7V左右的壓降，招致實(shí)踐最終加在Gate上的電壓只要4.3V。這時(shí)分，我們選用標(biāo)稱Gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險(xiǎn)；同樣的問(wèn)題也發(fā)作在運(yùn)用3V或者其他低壓電源的場(chǎng)所。寬電壓應(yīng)用輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會(huì)隨著時(shí)間或者其他要素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)招致PWM電路
深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)英泰路8號(hào)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902
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