作者： 時(shí)間：2024.8.27
實(shí)際上這個電阻的值就決定了C1兩端會不會振蕩。
1、當(dāng)R1>2(L1/C1)^0.5時(shí)，S1，S2為不相等的實(shí)數(shù)根。過阻尼情況。
在這種情況下，基本不會發(fā)生振蕩的。
2、當(dāng)R1=2(L1/C1)^0.5時(shí)，S1，S2為兩個相等的實(shí)數(shù)根。臨界情況。
在這種情況下，有振蕩也是比較微弱的。
3、當(dāng)R1<2(L1/C1)^0.5時(shí)，S1，S2為共軛復(fù)數(shù)根。欠阻尼情況。
在這種情況下，電路一定會發(fā)生振蕩。
所以對于上述的幾個振蕩需要消除的話，我們有幾個選擇.
1，增大電阻R1使R1≥2(L1/C1)^0.5，來消除振蕩，對于增大R1會降低電源效率的，我們一般選擇接近臨界的阻值。
2，減小PCB走線寄生電感，這個就是說在布局布線中一定要注意的。
3、增大C1,對于這個我們往往都不太好改變，C1的增大會使開通時(shí)間大大加長，我們一般都不去改變他。
mOSFET（Mode-Specific Output Switching）是一種特殊功能的半導(dǎo)體器件。它是在一塊硅片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，然后讓電流從其中一邊流入另一邊流出而形成電壓輸出信號；當(dāng)外加正、反向脈沖時(shí)則因在兩電極之間產(chǎn)生電勢差而使兩邊電位發(fā)生變化而產(chǎn)生控制作用，從而實(shí)現(xiàn)對信號的放大與調(diào)制等處理功能。
由于這種特殊的結(jié)構(gòu)使得它在高頻電路中得到了廣泛的應(yīng)用。例如：開關(guān)功率級中的Pwm控制器就是由 MOS管構(gòu)成的。另外，隨著集成度的提高及的進(jìn)步，目前已有許多新型的 MOS管應(yīng)用于各種數(shù)字集成電路中如CMOS門陣列芯片等等。
IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor ） 緣柵雙極型晶體管是電力電子技術(shù)發(fā)展過程中出現(xiàn)的一種新型場效應(yīng)晶體管制成的二極管組態(tài)元件。其特點(diǎn)是工作頻率高、體積小、重量輕、可靠性好等特點(diǎn)，因而得到迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用，成為繼 PN 結(jié)之后又一重要的大規(guī)模實(shí)用化的電子元器件之一 。
1、原理不同：
1） IGCT 的工作原理是將輸入交流電源變換成直流或低頻脈動高壓，再經(jīng)過整流濾波后變成可調(diào)節(jié)的高頻低壓大電流，經(jīng)逆導(dǎo)通回路將高頻高壓變?yōu)榈妥杩沟暮愣娏鬏斔偷截?fù)載端。它的主要優(yōu)點(diǎn)是效率高、損耗小、速度快且穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)。
2） MOSFET的工作過程則是利用基區(qū)產(chǎn)生的漏源電場來推動溝道導(dǎo)電層進(jìn)行載流子遷移并發(fā)生復(fù)合的現(xiàn)象來實(shí)現(xiàn)開通/關(guān)斷的功能。
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
1、什么是MOS管？
場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。
MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
MOSFET種類與電路符號
有的MOSFET內(nèi)部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。
關(guān)于寄生二極管的作用，有兩種解釋：
MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因?yàn)樵谶^壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
防止MOS管的源極和漏極反接時(shí)燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時(shí)，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。
MOSFET具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。
2、什么是IGBT？
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。
IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣泛的應(yīng)用。
IGBT的電路符號至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。
同時(shí)還要注意IGBT有沒有體二極管，圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有，除非官方資料有特別說明，否則這個二極管都是存在的。
IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的，而是為了保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的，又稱為FWD（續(xù)流二極管）。
判斷IGBT內(nèi)部是否有體二極管也并不困難，可以用萬用表測量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C、E兩極測得電阻值無窮大，則說明IGBT沒有體二極管。
IGBT非常適合應(yīng)用于如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
3、MOS管與IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，如下圖所示：
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。
IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。
另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因?yàn)镮GBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長，死區(qū)時(shí)間也要加長，從而會影響開關(guān)頻率。
4、選擇MOS管，還是IGBT？
在電路中，選用MOS管作為功率開關(guān)管還是選擇IGBT管，這是工程師常遇到的問題，如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結(jié)出以下幾點(diǎn)：
也可從下圖看出兩者使用的條件，陰影部分區(qū)域表示MOSFET和IGBT都可以選用，“？”表示當(dāng)前工藝還無法達(dá)到的水平。
總的來說，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高。
MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等等高頻電源領(lǐng)域；IGBT集中應(yīng)用于焊機(jī)、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。
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