作者: 時間:2024.7.12
兄弟們,聽說你們最近在玩MOS管?
別以為我不知道,你們這幫家伙,整天就想著在電路板上搞事情!什么三極管、二極管,現(xiàn)在又開始琢磨MOS管了?
我懂,我懂,你們想要征服電子世界,想要成為電路界的大佬!但是,兄弟們,先別急著上手,咱們得先搞清楚,這MOS管到底是個什么玩意兒?
別看這小小的MOS管,內(nèi)部可是暗藏玄機(jī)!它可是個“半導(dǎo)體開關(guān)”,能控制電流的“生死大權(quán)”! 想讓電流流過去?它就開著!不想讓它流過去?它就關(guān)著!
但是,這MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu),可是比你們想象中還要復(fù)雜!
別怕! 我來給你們細(xì)細(xì)講講!
我們要知道,MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu),就像一個三明治!
上層: 一片“源極” (Source),就好比是“電流的源頭”。
中層: 一層“柵極” (Gate),就好比是“開關(guān)”的按鈕。
下層: 一片“漏極” (Drain),就好比是“電流的出口”。
然后,中間還有一層“絕緣層” (Insulator)! 這層“絕緣層”就像一個“隔板”,將“柵極”與“源極”和“漏極”隔離開,就像一個“護(hù)城河”,防止它們直接接觸。
我們還需要一個“襯底” (Substrate),就像一個“地基”,為整個“三明治”提供支撐。
好了,現(xiàn)在,讓我們來看看MOS管是怎么工作的!
當(dāng)我們給“柵極”施加電壓時,這個“電壓”就會在“絕緣層”中形成一個“電場”。
這個“電場”就像一個“魔力”,可以吸引“源極”中的電子,讓它們涌向“漏極”!
如果“柵極”電壓足夠高,就能讓更多的電子通過,電流就越大!
反之,如果“柵極”電壓低,電子就少,電流就??!
這就是MOS管的“開關(guān)”作用!
等等,還沒完!
你們以為這就結(jié)束了嗎?
當(dāng)然不是!
還有兩個重要參數(shù),我們必須搞清楚!
那就是:Ciss 和 Coss!
Ciss, 是“輸入電容” (Input Capacitance),代表著“柵極”與“源極”之間的電容!
Coss, 是“輸出電容” (Output Capacitance),代表著“漏極”與“源極”之間的電容!
說白了,這兩個參數(shù),就是“電荷存儲能力”!
就像一個水桶,Ciss 和 Coss 就決定了這個水桶能裝多少水!
那么,這兩個參數(shù)對MOS管有什么影響呢?
Ciss會影響MOS管的開關(guān)速度!
Ciss越大,就相當(dāng)于這個水桶越大,需要更多時間才能裝滿!
所以,MOS管的開關(guān)速度就會變慢!
Coss 會影響MOS管的輸出信號!
Coss越大,就相當(dāng)于這個水桶越大,電荷就更容易儲存,導(dǎo)致輸出信號的延遲!
為了提高M(jìn)OS管的性能,我們應(yīng)該盡量選擇 Ciss 和 Coss 更小的MOS管!
現(xiàn)在,我們再來總結(jié)一下,MOS管有哪些常見的類型?
類型 | 描述 |
---|---|
N溝道 MOSFET | 源極和漏極之間的導(dǎo)通電流由電子流動,柵極電壓為正時導(dǎo)通,為負(fù)時截止 |
P溝道 MOSFET | 源極和漏極之間的導(dǎo)通電流由空穴流動,柵極電壓為負(fù)時導(dǎo)通,為正時截止 |
增強型 MOSFET | 柵極電壓為零時,源極和漏極之間處于截止?fàn)顟B(tài),需要施加?xùn)艠O電壓才能導(dǎo)通 |
耗盡型 MOSFET | 柵極電壓為零時,源極和漏極之間處于導(dǎo)通狀態(tài),需要施加?xùn)艠O電壓才能截止 |
好了,兄弟們,這期關(guān)于MOS管的知識就講到這里!
希望你們能從中有所收獲,也希望你們能夠繼續(xù)深入學(xué)習(xí),成為真正的電路界大佬!
我想問問你們,你們覺得MOS管還有什么有趣的地方?或者你們還有什么問題想問?
快來評論區(qū)留言吧,我們一起探討!