MOSFET器件隔離-小型化(按比例縮小)的器件隔離原理及結(jié)構(gòu)

MOSFET器件隔離

集成電路工藝中，MOSFET器件隔離是器件設(shè)計(jì)的一個組成部分。最廣泛使用的隔離技術(shù)是硅的局部氧化技術(shù)，縮寫為LOCOS，在10.3節(jié)已作了討論。LOCOS中的主要問題示于圖10.23。

可以看到，LOCOS會使氧化膜橫向侵入器件工作區(qū)(壕溝)，侵入的距離可以與生長的場氧化膜厚度相比，結(jié)果形成所謂“鳥嘴”。MOSFET器件隔離。因?yàn)?，不想增大多晶硅與硅之間以及金屬與硅之間的(寄生)電容，場氧化膜的厚度就不能再減小，因而，橫向侵入的長度就無法減小到比某一定的最小值還小，這個值大約為0.8μm左右。有一些工藝可以減小橫向侵入，目前正在研究之中，可以替代標(biāo)準(zhǔn)的LOCOS工藝，這些工藝是所謂的側(cè)壁掩膜隔離(SWAMI)，密封界面局部氧化(SILO)和有選擇的外延生長(SEG)。MOSFET器件隔離這些工藝比LOCOS還要復(fù)雜，介紹這些工藝已超出本章的范圍。在別處可以找到關(guān)于器件隔離技術(shù)的很好的評述。

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