?MOS R-S管觸發(fā)器,R-S管觸發(fā)器工作原理,R-S管觸發(fā)器,MOS觸發(fā)器簡介,觸發(fā)器和其它邏輯部件，在第二章中，已介紹了“與”門、“或”門、“非”門、“與非”、“或非”及“與或非”等邏輯門。這些邏輯門的輸出由輸入狀態(tài)決定，如果輸入狀態(tài)改變，輸出也立刻作相應(yīng)的改變。利用這些逐輯門可以實(shí)現(xiàn)邏輯計(jì)算和邏輯控制。但這些門電路不具備“記憶”信號的作用，輸入信號一旦消失，輸出信號就不復(fù)存在。在數(shù)字系統(tǒng)中
?MOS R-S管觸發(fā)器,R-S管觸發(fā)器工作原理,R-S管觸發(fā)器,MOS觸發(fā)器簡介,觸發(fā)器和其它邏輯部件，在第二章中，已介紹了“與”門、“或”門、“非”門、“與非”、“或非”及“與或非”等邏輯門。這些邏輯門的輸出由輸入狀態(tài)決定，如果輸入狀態(tài)改變，輸出也立刻作相應(yīng)的改變。利用這些逐輯門可以實(shí)現(xiàn)邏輯計(jì)算和邏輯控制。但這些門電路不具備“記憶”信號的作用，輸入信號一旦消失，輸出信號就不復(fù)存在。在數(shù)字系統(tǒng)中
MOS傳輸門 MOS晶體管有一個很有用處的特性-雙向性。因?yàn)樗脑春吐┦峭耆粯拥?，可以互相交換工作。當(dāng)柵極上加了超過閥值電壓image.png的柵壓時，隨著源、漏之間電壓極性不同，電流可以從左邊流到右邊，也可以從右邊流到左邊。若電流從左流向右，就認(rèn)為左邊的極為D，右邊的極為S。相反，則右邊為D極，左邊為S極。利用上述特性，可以微成一種電子開關(guān)，即通常所說的傳輸門，根據(jù)溝道情況不同，可分為單
MOS傳輸門 MOS晶體管有一個很有用處的特性-雙向性。因?yàn)樗脑春吐┦峭耆粯拥?，可以互相交換工作。當(dāng)柵極上加了超過閥值電壓image.png的柵壓時，隨著源、漏之間電壓極性不同，電流可以從左邊流到右邊，也可以從右邊流到左邊。若電流從左流向右，就認(rèn)為左邊的極為D，右邊的極為S。相反，則右邊為D極，左邊為S極。利用上述特性，可以微成一種電子開關(guān)，即通常所說的傳輸門，根據(jù)溝道情況不同，可分為單
CMOS門電路(與非門、或非、非門、OD門、傳輸門、三態(tài)門)詳細(xì)介紹,圖2-68為CMOS“與非”門電路，其中image.png為兩個串聯(lián)的NMOS管，image.png為兩個并聯(lián)的PMOS管，image.png與image.png的柵極連接在一起作為輸入端image.png，image.png與image.png的柵極連接作為輸入端image.png，image.png的漏與image.png的
CMOS門電路(與非門、或非、非門、OD門、傳輸門、三態(tài)門)詳細(xì)介紹,圖2-68為CMOS“與非”門電路，其中image.png為兩個串聯(lián)的NMOS管，image.png為兩個并聯(lián)的PMOS管，image.png與image.png的柵極連接在一起作為輸入端image.png，image.png與image.png的柵極連接作為輸入端image.png，image.png的漏與image.png的
單溝道MOS門電路詳解及概述分析,單溝道MOS門電路,前面敘述的各種倒相器，就是一個“非”門電路，具有邏輯“非”的功能。即輸入為“1”，輸出為‘0”；反之輸入為“0”，輸出為“1”。MOS門電路可根據(jù)輸入器件與負(fù)載器件溝道的異同，分為單溝道門電路和雙溝道門電路。前面講到的E/EMOS、E/DMOS倒相器的負(fù)載與輸入器件，都是同一種溝道組成的，屬單溝道電路；而CMOS電路的負(fù)載管和輸
單溝道MOS門電路詳解及概述分析,單溝道MOS門電路,前面敘述的各種倒相器，就是一個“非”門電路，具有邏輯“非”的功能。即輸入為“1”，輸出為‘0”；反之輸入為“0”，輸出為“1”。MOS門電路可根據(jù)輸入器件與負(fù)載器件溝道的異同，分為單溝道門電路和雙溝道門電路。前面講到的E/EMOS、E/DMOS倒相器的負(fù)載與輸入器件，都是同一種溝道組成的，屬單溝道電路；而CMOS電路的負(fù)載管和輸
CMOS倒相器功耗討論分析詳解，CMOS倒相器功耗討論，CMOS電路的靜態(tài)功耗很低，可以忽略不計(jì)。這里要討論的功耗，主要是由于在開關(guān)過程中對負(fù)載電容充放電所消耗的動態(tài)功耗，現(xiàn)作兩點(diǎn)假設(shè)：
CMOS倒相器功耗討論分析詳解，CMOS倒相器功耗討論，CMOS電路的靜態(tài)功耗很低，可以忽略不計(jì)。這里要討論的功耗，主要是由于在開關(guān)過程中對負(fù)載電容充放電所消耗的動態(tài)功耗，現(xiàn)作兩點(diǎn)假設(shè)：
CMOS倒相器瞬態(tài)響應(yīng),從分析單溝道MOS倒相器的瞬態(tài)特性知道，組成倒相器的MOS管本身的頻率響應(yīng)是比較快的。在實(shí)際的電路中，影響電路開關(guān)速度的主要因素是輸入端的負(fù)載電容image.png上及MOS器件對這些電容充放電能力的大小。
CMOS倒相器瞬態(tài)響應(yīng),從分析單溝道MOS倒相器的瞬態(tài)特性知道，組成倒相器的MOS管本身的頻率響應(yīng)是比較快的。在實(shí)際的電路中，影響電路開關(guān)速度的主要因素是輸入端的負(fù)載電容image.png上及MOS器件對這些電容充放電能力的大小。
CMOS倒相器的傳輸特性一、直流傳輸特性和噪聲容限,CMOS傳輸特性 大家知道，倒相器的傳輸特性曲線，可以從倒相器兩個管子的電流方程出發(fā)，導(dǎo)出輸入電壓與輸出電壓的對應(yīng)關(guān)系式，從而作圖得來。為了討論方便起見，我們先對負(fù)載管與輸入管工作于飽和區(qū)或排飽和區(qū)的條件作些說明。
CMOS倒相器的傳輸特性一、直流傳輸特性和噪聲容限,CMOS傳輸特性 大家知道，倒相器的傳輸特性曲線，可以從倒相器兩個管子的電流方程出發(fā)，導(dǎo)出輸入電壓與輸出電壓的對應(yīng)關(guān)系式，從而作圖得來。為了討論方便起見，我們先對負(fù)載管與輸入管工作于飽和區(qū)或排飽和區(qū)的條件作些說明。
CMOS 倒相器，是由一個增強(qiáng)型P溝道MOS管和一個增強(qiáng)型N溝道MOS管組成，其中NMOS管做輸入管，PMOS管做負(fù)載管。兩管的柵極連接在一起，引出輸入端；兩管的漏極相連，作為輸出端；負(fù)載管（PMOS）的源極接電源，輸入管（NMOS）的源極接地。
CMOS 倒相器，是由一個增強(qiáng)型P溝道MOS管和一個增強(qiáng)型N溝道MOS管組成，其中NMOS管做輸入管，PMOS管做負(fù)載管。兩管的柵極連接在一起，引出輸入端；兩管的漏極相連，作為輸出端；負(fù)載管（PMOS）的源極接電源，輸入管（NMOS）的源極接地。
E/DMOS倒相器靜態(tài)分析及詳解1、輸出電壓討論，倒相器輸出特性曲線上兩個工作點(diǎn)，A點(diǎn)（開態(tài)）所對應(yīng)的為輸出低電平image.png，B點(diǎn)（關(guān)態(tài)）所對應(yīng)的為輸出高電平image.png。現(xiàn)在分別討論輸出高低電平的大小及其與器件參數(shù)的關(guān)系。
E/DMOS倒相器靜態(tài)分析及詳解1、輸出電壓討論，倒相器輸出特性曲線上兩個工作點(diǎn)，A點(diǎn)（開態(tài)）所對應(yīng)的為輸出低電平image.png，B點(diǎn)（關(guān)態(tài)）所對應(yīng)的為輸出高電平image.png。現(xiàn)在分別討論輸出高低電平的大小及其與器件參數(shù)的關(guān)系。
E/D MOS倒相器是增強(qiáng)型-耗盡型MOS倒相器的簡稱，是為了提高M(jìn)OS電路性能而發(fā)展起來的新型電路。它的輸入管是增強(qiáng)型器件（簡稱EMOS管），負(fù)載管是耗盡型器件（簡稱DMOS管）。圖2-32（a）所示為N溝道E/D MOS倒相器的電路圖，其中image.png為輸入管，image.png為負(fù)載管。由于負(fù)載管的柵和源聯(lián)結(jié)在一起，故負(fù)載管的柵源電壓image.png始終為image.png。
E/D MOS倒相器是增強(qiáng)型-耗盡型MOS倒相器的簡稱，是為了提高M(jìn)OS電路性能而發(fā)展起來的新型電路。它的輸入管是增強(qiáng)型器件（簡稱EMOS管），負(fù)載管是耗盡型器件（簡稱DMOS管）。圖2-32（a）所示為N溝道E/D MOS倒相器的電路圖，其中image.png為輸入管，image.png為負(fù)載管。由于負(fù)載管的柵和源聯(lián)結(jié)在一起，故負(fù)載管的柵源電壓image.png始終為image.png。
深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)英泰路8號英泰科匯廣場2棟1902
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