MOS晶體管圖形設(shè)計(jì)舉例結(jié)構(gòu)詳細(xì)解析

MOS晶體管版圖形設(shè)計(jì)舉例

MOS晶體管圖形設(shè)計(jì)，制造MOS晶體管，首先要根據(jù)給定的參數(shù)，設(shè)計(jì)出符合要求的圖形。這里概要介紹一下根據(jù)跨導(dǎo)gm的要求，來設(shè)計(jì)一個(gè)MOS晶體管的圖形。

設(shè)閥值電壓時(shí)，要求管子的跨導(dǎo)gm=。

根據(jù)條件，所設(shè)計(jì)的MOS晶體管為N溝道增強(qiáng)型器件，所給定的ga為飽和區(qū)跨導(dǎo)。這里的圖形設(shè)計(jì)，歸結(jié)為確定器件溝道的寬長比。

根據(jù)飽和區(qū)跨導(dǎo)公式：

可寫出器件的寬長比為：

若取：

可求得：

將上述數(shù)值代入，即求得器件的寬長比為：

如果溝道長度L取8μm，則W取64μm。

于是根據(jù)所確定的寬長比，就可畫出如圖1-41（a）所示的版圖。MOS晶體管圖形設(shè)計(jì)其中，大方塊表示襯底P-Si，方塊中左右兩個(gè)長方塊表示漏源N⁺區(qū)，中間的間隙，即為溝道的寬與長，溝道上打×的方塊，表示薄氧化層；點(diǎn)劃線表示鋁引線；斜線表示引線孔。若沿虛線AA切開，就可得到如圖1-41（b）所示的截面圖。

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